Микросхемы интегральные. Общие технические условия

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ

ГОСТ 18725—83

(СТ СЭВ 299—76)

Издание официальное
Е

о.

КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР

Москва

УДК 621.382.82 : 006.354

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Общие технические условия
Integrated circuits.
General specifications
ОКП 63 3000
Срок действия с 01.01.85 до 01.01.05
Настоящий стандарт распространяется на интегральные микро­схемы производственно-технического назначения и народного пот­ребления (далее, микросхемы), изготовляемые для народного хо­зяйства и экспорта, используемые в электронной аппаратуре в ка­честве элементов монтажа.
Микросхемы изготовляют в климатических исполнениях УХЛ категорий 1; 1.1; 2; 2.1; 3; 3.1; 4.2; 5.1 и В категорий 1; 1.1; 2; 2.1; 3.1; 4; 4.2; 5; 5.1 по ГОСТ 15150—69.
Стандарт не распространяется на бескорпусные микросхемы.
Микросхемы, изготовляемые для экспорта, должны соответст­вовать требованиям настоящего стандарта и ГОСТ 23135—78.
(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

1. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

1.1. Микросхемы должны изготовляться в соответствии с тре­бованиями настоящего стандарта и стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов по рабочим чертежам и технической документации, утвержденной в установленном по­рядке.
Издание официальное Е
© Издательство стандартов, 1983 © Издательство стандартов, 1991 Переиздание с изменениями
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен без разрешения Госстандарта СССР
1.2. Требования к конструкции
1.2.1. Габаритные и присоединительные размеры микросхем должны соответствовать ГОСТ 17467—88.
Общий вид и установочные размеры должны соответствовать чертежам, приведенным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Микросхемы, предназначенные для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры, должны соответствовать нормативно-тех­нической документации, утвержденной в установленном порядке.
Для микросхем, предназначенных для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры, в стандартах или технических ус­ловиях (далее ТУ) на микросхемы конкретных типов должен быть указан номер конструктивно-технологической группы и конструк­тивное исполнение по нормативно-технической документации, ут­вержденной в установленном порядке.
Покрытия выводов, предназначенных для пайки, не должны иметь просветов, через которые просматривается основной металл, коррозионных поражений, пузырей, отслаивания и шелушения. Допускается отсутствие покрытия на торцах выводов.
(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).
1.2.2. Внешний вид микросхем должен соответствовать образ­цам внешнего вида и их описаниям, утвержденным в установлен­ном порядке.
Описания должны прилагаться к стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов и высылаться потре­бителю.
1.2.3. Масса микросхем не должна превышать значений, уста­новленных в стандартах или технических условиях на микросхе­мы конкретных типов.
1.2.4. Микросхемы должны быть герметичными.
Показатель герметичности микросхем, имеющих внутренние объемы, по скорости утечки газа не должен быть более:
5-Ю-3 Па-см3/с (5-Ю’5 л-мкм рт. ст./с) —для микросхем внутренним объемом до 1 см3;
5-10~2 Па-см3/с (5-10“4 л-мкм рт. ст./с)—для микросхем внутренним объемом более 1 см3.
Конкретные значения показателя герметичности указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
1.2.5. Выводы микросхем должны выдерживать без механиче­ских повреждений воздействие следующих механических факто­ров:
растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода. Значе­ние растягивающей силы — по ГОСТ 25467—82;
изгибающей силы — для гибких лепестковых, ленточных и про­волочных выводов. Минимальное расстояние места изгиба выво­да от корпуса указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
1.2.6. 1.2.5. (Измененная редакция, Изм. № 3).
1.2.7. Выводы микросхем должны обеспечивать способность их пайки при температуре (235±5)°С, (270±10)°С или (350±10)°С.
Микросхемы должны выдерживать воздействие тепла, возни­кающего при температуре пайки (260±5)°С или (350±10)°С. Конкретное значение температуры пайки, расстояние до корпуса и продолжительность пайки указывают в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов.
Выводы микросхем, подлежащие электрическому соединению пайкой, должны сохранять способность к пайке не менее 12 мес без дополнительной обработки.
(Измененная редакция, Изм. № I, 3).
1.2.8. Наружные металлические поверхности микросхем долж­ны быть коррозионностойкими в условиях хранения и эксплуата­ции, установленных настоящим стандартом и стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов.
1.2.9. Стекло (керамика) и спаи стекла (керамики) с метал­лом должны быть механически прочными и термически стойкими.
1.2.10. Наружные неметаллические покрытия и маркировка дол­жны быть устойчивы к воздействию спиртобензиновой смеси.
1.2.11. Обозначение выводов должно соответствовать электри­ческой схеме, приведенной в стандартах или технических услови­ях на микросхемы конкретных типов.
1.2.12. Микросхемы должны быть трудногорючими. Микросхе­мы не должны самовоспламеняться и воспламенять окружающие их элементы при воздействии аварийных электрических перегру­зок. Аварийный электрический режим указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
1.3. Требованияк электрическим параметрам и режимам
1.3.1. Электрические параметры микросхем устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Микросхемы третьей и более высоких степеней интеграции должны выполнять свои функции в соответствии с таблицами ис­тинности (таблицами состояний и (или) системой команд или микрокоманд, диаграммой состояний и т. п.), приведенными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
1.3.2. Электрические параметры микросхем в течение наработ­ки при условии их эксплуатации в режимах и условиях, указан­ных в настоящем стандарте и в стандартах или технических усло­виях нй микросхемы конкретных типов, должны соответствовать нормам, установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
1.3.3. Электрические параметры микросхем в течение срока со­храняемости при хранении их в условиях, указанных в настоящ- щем стандарте и в стандартах или технических условиях на мик­росхемы конкретных типов, должны соответствовать нормам, ус­тановленным в стандартах или технических условиях на микросхе­мы конкретных типов.
1.3.4. Значения предельно допустимых электрических режимов1 эксплуатации микросхем в диапазоне температур должны соот­ветствовать нормам, установленным в стандартах или техничес­ких условиях на микросхемы конкретных типов. I
(Измененная редакция, Изм. № 1). '
1.3.5. Номинальные значения питающих напряжений микро­схем и отклонения от номинальных значений должны выбираться из ряда по ГОСТ 17230—71. Конкретные значения должны быть указаны в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
1.4. Микросхемы должны быть механически прочными и со­хранять свои параметры в процессе и после воздействия на них механических нагрузок в соответствии с табл. 1.
Таблица 1
Внешний воздействующий фактор
Значение внешнего воздейст­вующего фактора
Синусоидальная вибрация: диапазон частот, Гц амплитуда ускорения, м/с2 (g) t Механический удар одиночного действия: пиковое ударное ускорение, м/с2 (g) длительность действия ударного ускорения, мс Механический удар многократного действия: пиковое ударное ускорение, м/с2 (g) длительность действия ударного ускорения, мс Линейное ускорение, м/с2 (g)
1 — 2000
200 (20)
1500 (150)
0,1—2,0
1500 (150)
1—5
5000 (500); 10000 (1000); 20000 (2000)
(Измененная редакция, Изм. № 1).
1.5. Требования к устойчивости при к л им эти­чески хвоздействИ Я X
1.5.1. Микросхемы должны быть устойчивы к климатическим воздействиям и сохранять свои параметры в процессе и после воздействия на них следующих климатических факторов:
) пониженной рабочей температуры среды, выбираемой из ряда: минус 10, минус 25, минус 45, минус 60°С и пониженной предельной температуры среды минус 60°С;
) повышенной рабочей температуры среды,
°С, выбираемой из ряда: 70, 85, 100, 125;
повышенной предельной температуры среды, °С, выбираемой из ряда: 85, 100, 125, 125;
) изменения температуры среды в пределах от повышенной предельной температуры среды до пониженной предельной тем­пературы среды;
) относительной влажности не более 98% при температуре 35°С без конденсации влаги;
) атмосферного пониженного давления 26664 Па (200 мм рт. ст.);
) атмосферного повышенного давления до 294199 Па (3 кгс/см2).
Примечания:
1. Для тепловыделяющих микросхем в стандартах или технических услови­ях на микросхемы конкретных типов указывают предельно допустимую темпе­ратуру верхней со стороны монтажа поверхности корпуса (теплоотвода).
2. В стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов по согласованию с основным потребителем допускается устанавливать иные значения пониженной и повышенной (но не менее плюс 55°С) рабочей темпе­ратуры среды, обусловленные условиями применения микросхем.
1.5.2. Микросхемы исполнения В должны быть устойчивы к воз­действию повышенной влажности воздуха (длительное воздейст­вие), соляного тумана и среды, зараженной плесневыми грибами.
1.5.3. 1.5.2. (Измененная редакция, Изм. № 1, 3).
1.6. Требования к надежности
1.6.1. Требования к надежности — по ГОСТ 25359—82 и на­стоящему стандарту
1.6.1.1. Наработку микросхем в режимах и условиях, установ­ленных настоящим стандартом и техническими условиями, долж­на быть не менее 25000 ч для гибридных микросхем и не менее 50000 ч — для остальных микросхем, а в облегченных режимах, которые приводят в ТУ, — не менее 40000 и 60000 ч соответствен­но. Конкретное значение устанавливают в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы ко