ГОСТ 19799-74
Briefly
Цей стандарт встановлює уніфіковані методи вимірювання електричних параметрів та характеристики для аналогових інтегральних мікросхем. Він є обов'язковим при розробці технічних умов, проектуванні вимірювальних установок та проведенні наукових досліджень у мікроелектроніці.
What to do
Забезпечте електробезпеку персоналу при роботі з вимірювальними стендами, перевіривши їх на відповідність ГОСТ 30350. Контролюйте режими подачі напруги на вхід мікросхем відповідно до методу 1500 для запобігання аварійним ситуаціям.
Topics
Applies to professions
Download document
.docx format · available to registered users
Document text
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСХЕМЫ
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ
МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК
Издание официальное
ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ
Методы измерения электрических параметров
и определения характеристик
Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric
parameters and determination of responses
Дата введения 01.01.76
Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы (далее — микросхемы) и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик.
Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители.
Настоящий стандарт должен применяться:
при разработке и пересмотре стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов;
при разработке установок для измерения электрических параметров микросхем;
при проведении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.
Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 1622—79 приведена в приложении 4.
Общие требования к аппаратуре — в соответствии с ГОСТ 30350.
(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3, 4, 5, 6).
Разд. 1. (Исключен, Изм. № 6).
2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ
РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ (класс 1000*)
Метод 1500. Измерение входного напряжения (Um).
Измерение t/x проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. Измеряют напряжение на входе микросхемы при ее работе в заданном режиме, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Метод 1510. Измерение максимального входного напряжения (Um max) для микросхем с одним входом.
* Порядок нумерации методов измерения, применяемый в настоящем стандарте, приведен в приложении 2.
Перепечатка воспрещена
© Издательство стандартов, 1974 © ИПК Издательство стандартов, 1999 Переиздание с Изменениями
Измерение (/х тах проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.
Черт. 1
На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Увеличивая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерителем напряжения измеряют Ummm на входе микросхемы.
Метод 1511. Измерение максимального входного напряжения (t/x тах) для микросхем с двумя входами на переменном токе.
ci С2 Структурная схема для измерения UBX max на переменном токе
приведена на черт. 2.
Значения чистоты и сопротивления нагрузки должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. В случае применения модулированного сигнала измерители 2 и 5 должны обеспечивать измерение эффективного немодулированного напряжения. Конденсаторы С1 и С2 должны являться короткозамкнутыми цепями при заданной частоте.
Для проведения измерения испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Сигнал генератора 1 на заданной частоте устанавливают на уровне, обеспечивающем значение напряжения на входе (выходе) испытуемой микросхемы, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Значения максимального входного напряжения измеряют измерителем 2.
Методы 150 0, 151 0, 1511. (Измененная редакция, Изм. № 2).
Метод 1512. Измерение максимального входного напряжения (t/xmax) для микросхем с двумя входами на постоянном токе.
Структурная схема измерения июта на постоянном токе приведена на черт. 2а.
1 — источник постоянного напряжения;
2 , 5 — измерители постоянного напряжения;
— микросхема; 4 — источник питания
Черт. 2
а
3
Для измерения UMmax на источнике 1 устанавливают напряжение Um < Ummsx и постепенно увеличивают его до тех пор, пока Ubux не достигнет значения, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Значение Umma измеряют измерителем 2.
(Введен дополнительно, Изм. № 2).
Метод 1520. Измерение минимального входного напряжения (17йтіп) ДЛЯ микросхем с одним входом.
Измерение t^xmin проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.
На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Измерителем напряжения измеряют Um min на входе микросхемы.
Метод 1521. Измерение минимального входного напряжения (l/BXmin) для микросхем с двумя входами.
Измерение UBX mjn проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2.
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1511.
При необходимости микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение на входе (выходе) испытуемой микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. После этого измеряют Um inin измерителем 2.
Метод 153 0. Измерение чувствительности (5)
Измерение S проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Уменьшают входное напряжение до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют напряжение входного сигнала, которое численно равно чувствительности.
Метод 154 0. Измерение диапазона входных напряжений
Для измерения А1/х измеряют значение максимального входного напряжения UBxm№ (методы 1510 и 1511) и значение минимального входного напряжения t/Bxmin (методы 1520 и 1521). Диапазон входных напряжений определяют по формуле
Метод 1550. Измерение входного напряжения покоя (170вх) и выходного напряжения покоя
Измерение UObx и 170вых микросхем с одним входом проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 3.
Емкость Cj конденсатора должна быть достаточной для того, чтобы исключить паразитные самовозбуждения, и должна соответствовать стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов.
Переключатель В1 устанавливают в положение 1 и измерителем 3 измеряют значение входного напряжения покоя UQm. Затем переключатель В1 переводят в положение 2 и измерителем 3 измеряют значение выходного напряжения покоя 1/Овых.
(Измененная редакция, Изм. № 2). Черт. 3
Метод 156 0. (Исключен, Изм. № 2).
Метод 1570. Измерение входного напряжения ограничения (UOmp вх).
Измерение 170гр вх проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления напряжения А"уи данной микросхемы
.
На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал напряжением ивх , указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют переменное напряжение на выходе микросхемы ивых ■ Увеличивают входной сигнал до напряжения ивх = 1,1 UBX и измеряют Ї/ВЬІХ . Дифференциальный коэффициент усиления определяют по формуле
И !
1/ — ^ВЫХ ~ ^вых
Изменяя входное напряжение и определяя К . находят такое значение U. при котором К п
У-Д »х у.д
равен 0,1 Куд. Входное напряжение ограничения Ц,огрвх равно найденному значению Um.
Метод 158 0. Измерение э. д. с. смещения (Е ) и напряжения смещения нуля (UCM) для микросхем с двумя и одним входами.
Измерение Е , Ucu для микросхем с двумя входами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4, а для микросхем с одним входом — согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4а.
Инвентирующий усилитель 4 применяется, если выходное напряжение испытуемой микросхемы не сдвинуто по фазе. Усилитель должен обеспечивать коэффициент усиления напряжения Ку1]~1 и иметь входное сопротивление 7?вх »RH-
Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурные схемы черт. 4 и черт. 4а, должны удовлетворять следующим требованиям:
Ry> R5> R10RBBlx ;
^<0,01/?5 или .
U’1Ayt/min ’
= R^; RBX »R2<\
J R4 +RS bx 2 50 ’
где RBx — входное сопротивление испытуемой микросхемы;
— выходное сопротивление испытуемой микросхемы;
KyU — коэффициент усиления напряжения испытуемой микросхемы при условии, что цепь обрат- 1™п ной связи разомкнута.
Черт. 4а
Испытуемую микросхему балансируют, изменяют напряжение Е{ источника 1 до тех пор, пока напряжение на измерителе 5 будет равно нулю или значению иозых, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют значение Et измерителем 2.
Э. д. с. смещения и напряжения смещения нуля определяют по формуле
Ясм(^см) = Д +f/овых .
Метод 1581. Измерение э. д. с смещения (Е.м) и напряжения смещения нуля (Ц.м) для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.
Измерение Есм, UCM проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5.
Параметры вспомогательного дифференциального усилителя должны обеспечивать:
усиление при разомкнутой обратной связи более 60 дБ;
размах выходного напряжения, достаточный для обработки входного напряжения испытуемой микросхемы;
диапазон напряжений синфазного сигнала на входе не меньше диапазона выходного напряжения испытуемой микросхемы.
Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:
R3 = R4, 7?,«/^«^;
1 — измеритель постоянного напряжения; 2, 5 — источники питания;
3 — микросхема; 4 — вспомогательный дифференциальный усилитель;
6 — источник постоянного напряжения
Черт. 5
Значения