ГОСТ 29210-91
Download document
.docx format · available to registered users
(МЭК 747-3—85)
КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР Москва
/
(МЭК 747—3—85)
Издание официальное
Москва — 1992
1. Официальные решения или соглашения МЭК по техническим вопросам, подготовленные техническими комитетами, в которых представлены все заинтересованные национальные комитеты, выражают с возможной точностью международную согласованную точку зрения по рассматриваемым вопросам.
2. Эти решения представляют собой рекомендации для международного
пользования и в этом виде принимаются национальными комитетами.
3. В целях содействия международной унификации МЭК выражает пожелание, чтобы все национальные комитеты приняли настоящий стандарт МЭК в качестве своего национального стандарта, насколько это позволяют условия каждой страны. Любое расхождение со стандартом МЭК должно быть четко указано в соответствующих национальных стандартах.
© Издательство стандартов, 1992
Настоящий стандарт подготовлен Техническим комитетом МЭК № 47 «Полупроводниковые приборы».
Публикация МЭК 747—3 представляет собой третью часть общего стандарта на дискретные приборы (Публикация МЭК 747). В дополнение к общим требованиям Публикации МЭК 747—1 в настоящем стандарте содержатся все сведения по сигнальным диодам и диодам — регуляторам тока и напряжения.
На совещании в Лондоне в сентябре 1982 г. Технический комитет № 47 одобрил переиздание Публикаций МЭК 147 и МЭК 148 на основе нового принципа в зависимости от вида рассматриваемого прибора. Поскольку все части, составляющие настоящую Публикацию, были в свое время утверждены по Правилу шести или двух месяцев, дополнительное голосование было признано нецелесообразным.
Сведения относительно интегральных схем, содержащиеся в Публикациях МЭК 147 и МЭК 148, включены в Публикации МЭК 747—1 и МЭК 748.
Сведения относительно механических и климатических испытаний, ранее содержащиеся в Публикациях МЭК 147—5 и МЭК 147—5А, включены в Публикацию МЭК 749.
Соответствие данного стандарта современному уровню техники будет обеспечиваться путем пересмотра и дополнения его, по мере дальнейшей работы Технического комитета № 47, с учетом последних достижений в области полупроводниковых приборов.
Таблица соответствия новых и прежних пунктов
Раздел первый
Приборы полупроводниковые
Часть 3. Сигнальные диоды (включая
переключательные) и диоды—регуляторы тока
и напряжения
Semiconductor devices. Discrete devices.
Part 3. Signal (including switching)
and regulator diodes
Дата введения 01.07.92
1. Введение
Настоящим стандартом следует пользоваться вместе с МЭК 747—11, в котором содержатся все основополагающие данные:
по терминологии; 5
по буквенным обозначениям;
по основным предельно допустимым значениям параметров и характеристикам;
по методам измерения;
по приемке и надежности.
Порядок следования различных глав соответствует МЭК 747—1, гл. III, п. 2.1.
2. Область применения
В настоящем стандарте приводятся требования для следующих классов и подклассов приборов:
сигнальных диодов (включая переключательные):
опорных диодов и стабилитронов;
диодов — регуляторов тока.
Данный государственный стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе, подлежащие сертификации.
3. Буквенные обозначения
При наличии буквенных обозначений они добавляются к терминам, приведенным в заголовках. Если для одного термина име-
ч
ется несколько различных обозначений, то приводится наиболее употребительное.
СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ (ВКЛЮЧАЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ) л
1. Общие термины
Используются соответствующие термины и- определения, приведенные в МЭК 747—1. Термин п. 1.1 взят из настоящего стандарта, гл. IV, п. 4.8.
1.1. Сигнальный диод2 — диод, используемый для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который (Изменяется- іВО Віременіи И (Может быть ПО І0ВОЄЙ природе цифровым или аналоговым.
2. Термины, относящиеся к основным предельно допустимым значениям параметров и характеристикам
Используются термины й определения, приведенные в МЭК 747—1, гл. IV, п. 5.
Дополнительные термины и определения приведены ниже.
2.1. Напряжения
2.1.1. Постоянное обратное напряжение (V#) — значение постоянного напряжения, приложенного к диоду в обратном направлении.
2.1.2. Среднее обратное напряжение ( Vr<av>) — значение обратного напряжения, среднее за заданный период.
2.1.3. Импульсное обратное напряжение (Vrm) — наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, возникающего на диоде, включая все повторяющиеся и неповторяющиеся переходные напряжения.
2.1.4. Коэффициент детектирования по напряжению fqv) — отношение постоянного напряжения нагрузки к импульсному синусоидальному входному напряжению в заданных схемных условиях.
2.1.5. Напряжение прямого восстановления (vfr) — изменяющееся напряжение, возникающее в течение времени прямого восстановления после мгновенного переключения с нуля или заданного обратного напряжения на заданный прямой ток.
< 2.2. Т оки
2.2.1. Средний прямой ток (Jf(av)) — значение прямого тока, среднее за заданный период.
2.2.2. Импульсный прямой ток (Ьм) — наибольшее мгновенное значение; прямого тока, включая все повторяющиеся и непов- торяющиеся переходные токи.
2.3 Рассеиваемая мощность
2.3.1. Коэффициент детектирования по мощности (т]р) — отношение изменения постоянной мощности в сопротивлении нагрузки, выжданного сигналом переменного тока, к мощности, подаваемой от генератора синусоидальных сигналов, при работе диода в заданном режиме.
2.3.2. Энергия одиночного импульса (Ер) (поданного на детекторный диод) — энергия одного короткого импульса, поданного на диод в прямом направлении.
Примечание. При работе на предельно допустимых значениях пара- м^тро^обычнд. устанавливается длительность импульса менее 10 мс.
2.3.3. Энергия повторяющегося импульса (ЕР(Гер)) — энергия, содержащаяся в одном импульсе, который входит в повторяющуюся серию импульсов.
2.4.1. Заряд восстановления (Qr) — полный заряд, восстановленный диодом после переключения с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
Примечание. Такой заряд включает заряд, накопленный носителями, и заряд емкости обедненного слоя.
* 2.4.2. Время обратного восстановления (6т) — интервал вре
мени от момента прохождения тока через нуль при изменении ^прямого направления на обратное и до момента, когда обратный ток уменьшается от амплитудного значения 1#м до заданного низкого значения (как показано на черт. 1) или когда он при экстраполяции достигает нулевого значения (черт. 2).
2.4.3. Время прямого восстановления (tfr) — время, необходи
мое для установления заданного значения после мгновенного переключения с нулевого или заданного значения обратного напряжения на заданное прямое смещение.
2.4.4. Дифференциальное сопротивление (г) — дифференциальное сопротивление, измеренное между выводами диода в заданных условиях.
Черг. 1
Черт. 2
Примечание. Экстраполяция осуществляется по двум заданным точкам /4 и В, как показано на черт. 2.
2.4.5. Прямое сопротивление по постоянному току — частное от деления прямого постоянного напряжения на диоде на соответствующий прямой постоянный ток. ......
2.4.6. Обратное сопротивление по постоянному току — частное .от деления обратного постоянного напряжения на диоде на соот-. ветствующий прямой постоянный ток.
2.4.7. Общая емкость — дифференциальная емкость на выводах диода, измеренная в заданных условиях смещения.
2.4.8. Общая чувствительность по току (р/) — частное от деления общего выпрямленного тока диода при заданной нагрузке на общую мощность входного сигнала.
2.4.9. Дифференциальная чувствительность по току (рх) — частное от деления приращения выпрямленного тока диода при заданной нагрузке на изменение мощности входного сигнала, вызвавшей это приращение.
2.4.10. Добротность (детекторного диода) (Л4) — параметр, характеризующий чувствительность приемного устройства и определяемый по формуле
$гор
ггорЛ"Кд
где р— либо дифференциальная чувствительность по току (р(), либо общая чувствительность по току (Р/) в зависимости от того, что требуется, но в любом случае в режиме короткого замыкания;
Гор — сопротивление в рабочей точке;
Nr — коэффициент шума диода;
— эквивалентное сопротивление шума усилителя с высоким полным сопротивлением, используемого для усиления выходного сигнала детекторного диода.
3. Буквенные обозначения
3.1. Общие полбжения
Применяются общие правила, изложенные в МЭК 747—1, гл. V.
3.2. Дополнительные индексы
В дополнение к перечню общих индексов (см. МЭК 747—1, гл. V, пп. 2.2.1 и 3.3.1) рекомендуются следующие специальные индексы.
3.2.1. Токи, напряжения и мощности
А. а — анод;
К, к — катод;
О — средний, выходной, выпрямленный.
- 3.2.2. Электрические параметры
6, d — затухание;
г — восстановление, восстановленный, выпрямленный;
S, s — накопление, накопленный.
3.3. Перечень дополнительных буквенных обозначений
Буквенные обозначения, содержащиеся в данном перечне, рекомендуются для использования в области сигнальных диодов; они были разработаны в соответствии с общими правилами, л ] • • ' • , ' • 4 < г
ч и I < f •,
■ ' . г •
к* . : ! ’ ’ ■ Ґ
3.3.1. Напряжения
Дифференциальное сопротивление
Коэффициентзатухания
Сопротивление затухания
Коэффициент полезного действия
Коэффициент детектирования по напряжению
Дифференциальная чувствительность по току
Общая чувствительность по току
Энергия одиночного импульса
Энергия повторяющегося импульса
Дифференциальное сопротивление в рабочей точке
Добротность
1. Общие термины
Используются соответствующие термины и определения, приведенные в МЭК 747—1. Термины, приведенные
