Контроль неразрушающий. Методы радиоволнового вида. Общие требования

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ

МЕТОДЫ РАДИОВОЛНОВОГО ВИДА

ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ

ГОСТ 23480—79

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 620.179.1.082 : 006.354

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Контроль неразрушающий

МЕТОДЫ РАДИОВОЛНОВОГО ВИДА

Общие требования
Non-destructive testing.
Radio wave methods.
General requirements
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 7 февраля 1979 г. № 485 срок введения установлен
с 01.01,80
Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 22.08.84 № 2945 срок действия продлен до 01.01.90
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
Настоящий стандарт распространяется на сверхвысокочастот­ные (далее СВЧ) методы радиоволнового вида неразрушающего контроля и устанавливает область применения, общие требования к аппаратуре и контрольным образцам, порядку подготовки и про­ведению контроля, оформлению результатов и требования безопас­ности.
Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их поясне­ния приведены в справочном приложении 1.
(Измененная редакция, Изм. № 1). ✓

1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

1.1. СВЧ-методы основаны на взаимодействии электромагнит­ного поля в диапазоне длин волн от 1 до 100 мм с объектом кон­троля, преобразовании параметров поля в параметры электриче­ского сигнала и передаче на регистрирующий прибор или средства обработки информации.
1.2. По первичному информативному параметру различают сле­дующие СВЧ-методы: амплитудный, фазовый, амплитудно-фазо­вый, геометрический, временной, спектральный, поляризационный, голографический.
1.3. Области применения СВЧ-методов радиоволнового вида не­разрушающего контроля приведены в табл. 1.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
* Переиздание (ноябрь 1984 г.) с Изменением № 1,
утвержденным в августе 1984 г. (ИУС 12—84).
© Издательство стандартов, 1985

Таблица 1
Название метода
Область применения
Факторы, ограничиваю­щие область применения
Контролируемые параметры
Чувстви­тельность
Погреш­ность
Ампли­тудный
Толщиномет- рия полуфаб­рикатов, изде­лий из радио­прозрачных материалов
Сложная конфигурация. Изменение за­зора между антенной пре­образователя и поверхно­стью объекта контроля
Толщина до 100 мм
1—3 мм
5%

Дефектоско­пия полуфаб­рикатов, изде­лий из радио­прозрачных материалов

Дефекты: трещины, рас­слоения, вклю­чения, недоп- рессовки
Трещины более 0.1Х1Х XI ММ
—
Фазовый
Трлщиномет- рия листовых материалов и полуфабрика­тов, слоистых изделий и кон­струкций из диэлектрика
Волнистость профиля или поверхности объекта конт­роля при шаге менее 10 L. Отстройка от влияния ам­плитуды сиг­нала
Толщина до 0,5 X s
5-10~3 мм
1%

Контроль «электричес­кой» (фазо­вой) толщины

Толщцна до 0,5 X е
0.1°
1°
Ампли­тудно- фазовый
Толщиномет- рия материа­лов, полуфаб­рикатов, изде­лий и конст­рукций из ди­электриков, контроль из­менений тол­щины
Неоднознач­ность отсчета при измене­ниях толщины более Q,5Ae , Изменение диэлектриче­ских свойств материала объектов кон­троля величи­ной более 2%. Толщина бо­лее 50 мм
Толщина 0—50 мм
0,05 мм
±0,1 мм

Продолжение табл. 1
Название метода
Область применения
Факторы, ограничиваю­щие область применения
Контролируемые параметры
Чувстви­тельность
Погреш­ность
Ампли­тудно- фазовый
Дефектоско­пия слоистых материалов и изделий из диэлектрика и полупровод­ника толщи­ной до 50 мм
Изменение зазора между антенной пре­образователя и поверх­ностью объ­екта контроля
Расслоения, включения, трещины, из­менения плот­ности нерав­номерное рас­пределение составных компонентов
Включения порядка
O.OSAg . Трещины с раскры­вом поряд­ка 0,05 мм. Разноплот- ность по-.
рядка 0,06 г/см3

Геомет­ричес­кий
Толщиномет- рия изделий и конструкций из диэлектри­ков: контроль абсолютных значений тол­щины, оста­точной толщи­ны
Сложная конфигурация объектов кон­троля; непа- раллельность поверхностей. Толщина бо­лее 500' мм
Толщина 0—500 мм
1,0 мм
3-5%

Дефектоско­пия полуфаб­рикатов и из­делий: кон­троль рако­вин, расслое­ний, инород­ных включе­ний в изде­лиях из ди­электрических материалов
Сложная конфигурация объектов кон­троля
Определение глубины зале­гания дефек­тов в пределах до 500 мм
1,0 мм
3-5%
Времен­ной
Толщиномет- эия конструк­ций и сред, являющихся диэлектриками
Наличие «мертвой» зо­ны. Наносе- кундная тех­ника. Приме-
Толщина более 500 мм
5—10 мм
5%

Дефектоско- шя сред из диэлектриков
некие генера­торов мощ­ностью более ІОО мВт
Определение глубины зале­гания дефек­тов в преде­тах выше 500 мм
5—10 мм
5%

Название метода
Область применения
Факторы, ограничиваю­щие область применения
Контролируемые параметры
Чувстви­тельность
Погреш­ность
Спек­
траль­ный
Дефектоско­пия полуфаб­рикатов и из­делий из ра­диопрозрачных материалов
Стабиль­ность частоты генератора бо­лее 1О’~6.
Наличие ис­точника маг­нитного поля. Сложность создания чув­ствительного тракта преоб­разователя в диапазоне перестройки частоты более 10%
Изменения в структуре и физико-хими­ческих свой­ствах матери­алов объектов контроля, включения
Микроде­фекты и микронеод­нородности значитель­но меньшие рабочей длины волны

Поляри­зацион­ный
Дефектоско­пия полуфаб­рикатов, изде­лий и конст­рукций из ди­электрических материалов
Сложная конфигурация. Толщина бо­лее 100 мм
Дефекты структуры и технологии, вызывающие анизотропию свойств мате­риалов (ани­зотропия, ме­ханические и термические напряжения, технологичес­кие наруше­ния упорядо­ченности структуры)
Дефекты площадью более 0,5—1,0 см2

Гологра­фичес­кий
Дефектоско­пия полуфаб­рикатов, изде­лий и конст­рукций из ди­электрических и полупровод­никовых мате­риалов с соз­данием види­мого (объем­ного) изобра­жения
Стабиль­ность частоты генератора бо­лее І О-6.
Сложность создания опор­ного пучка или поля с равно­мерными ам­плитудно-фазо­выми характе­ристиками.
Включения, расслоения, разнотолщин- ность, измене­ния формы объектов
Трещины с раскры­вом 0,0'5 мм

Продолжение табл, t
Название метода
Область применения
Факторы, ограничиваю­щие область применения
ч
Контролируемые параметры
Чувстви­тельность
Погреш­ность

Сложность И высокая стои­мость аппа­ратуры

Примечание. ХЕ — длина волны, в контролируемом объекте;
L — размер раскрыва антенны в направлении волнистости

'1.4. Необходимым условием применения СВЧ-методов являет­ся соблюдение следующих требований:
отношение наименьшего размера (кроме толщины) контролиру­емого объекта к наибольшему размеру раскрыва антенны преоб­разователя должно быть не менее единицы;
наименьший размер минимально выявляемых дефектов должен не менее чем в три раза превышать величину шероховатости по­верхности контролируемых объектов;
резонансные частоты спектра отраженного (рассеянного) излу­чения или напряженности магнитных полей материалов объекта и дефекта должны иметь различие, определяемое выбором конкрет­ных типов регистрирующих устройств.
1.5. Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля приведены в табл. 2.
Таблица 2
Схема расположения антенн преобразователя
Амплитудный, спект­ральный, поляризацион­ный
Схема расположения антенн преобразователя
Возможный метод контроля ■
Примечание
у

Z
>—

А
Фазовый, амплитудно­фазовый, временной
спектральный
■—

2 3

Амплитудный, геомет­рический, спектральный, поляризационный
—
1

2
j
Ў

Фазовый, амвлитудно- фазовый, геометриче­
ский, временной, спект­ральный
. —

1

1
[ІГ

Амплитудный, спект­ральный, поляризацион­ный

1
f ♦ н t
2
НІН
YW
J

Амплитудный, поля­ризационный, гологра­фический
В качестве при­емной использу­ется многоэле­ментная антенна

Схема расположения антенн преобразователя
Возможный метод контроля
Примечание
4 2 5 J
/
Амплитудный, голо­графический
В качестве прием­ной используется многоэлементная антенна

Схема расположения антенн преобразователя
Возможный метод контроля
Примечание
. \
3 / XX
Амплитудный, ампли­тудно-фазовый, геомет­рический, временной,
поляризационный
—

В качестве при-
емной использу-
ется многоэле-
ментная антенна
Обозначения:
— антенна преобразователя;
1 — СВЧ-генератор; 2 — объект контроля; 3 — СВЧ-приемник; 4 — линза для со­здания (квази) плоского фронта волны; 5 — линза для формирования радио­изображения; 6 опорное (эталонное) плечо мостовых схем.
Примечание. Допускается применение комбинаций схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля.

2. АППАРАТУРА И КОНТРОЛЬНЫЕ ОБРАЗЦЫ

2.1. Аппаратура должна разрабатываться и изготавливаться в соответствии с требованиями ГОСТ 26170—84.
2.2. Основными характеристиками аппаратуры радиоволнового вида и контроля должны быть:
чувствительность;
основная и дополнительная (ые) погрешности;
рабочий диапазон длин волн (частот) и (или) напряженностей поля;
диапазон контролируемых толщин;
скорость контроля.
2.3. Величины погрешности аппаратуры должны определяться . по стандартам и техническим условиям на конкретные типы аппа­ратуры, а виды нормируемых характеристик средств измерений должны соответствовать ГОСТ 8.009—72.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
2.4. Аппаратура должна строиться по принципу унификации и агрегатирования основных входящих в нее блоков, габаритные размеры которых должны соответствовать ГОСТ 20504—81.
Основными блоками являются: блок преобразователя (устрой­ство воздействия на объект контроля и первичного преобразования информации), электронный блок (устройство измерительно-преоб­разовательное), блок регистрации (устройство регистрации), блок сканирования (устройство сканирования).
2.5. Для настройки и периодической проверки работоспособ­ности аппаратуры должны использоваться контрольные образцы, разрабатываемые и изготавливаемые по технической документа­ции на контроль.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
2.6. При приемо-сдаточных, периодических и типовых испыта­ниях аппаратуры должны использоваться контрольные образцы, разработанные предприятием—разработчиком аппаратуры и изго­товленные предприятием—изготовителем аппаратуры.
2.7. Для проверки аппаратуры непосредственно перед проведе­нием контроля объектов, а также для контроля методом сравнения с объектом могут быть использованы контрольные образцы изде